FDG312P

onsemi

FDG312P

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 20V 1.2A SC88

Aktiv6-TSSOP, SC-88, SOT-363Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs180mOhm @ 1.2A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds330 pF @ 10 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C1.2A (Ta)
Max. Verlustleistung750mW (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Hersteller-GehäuseSC-88 (SC-70-6)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)