FDD850N10LD

onsemi

FDD850N10LD

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 15.3A TO252-4L

ObsoletTO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252ADAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs75mOhm @ 12A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs28.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1465 pF @ 25 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id2.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C15.3A (Tc)
Max. Verlustleistung42W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Hersteller-GehäuseTO-252 (DPAK)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)