FDD6685-G

onsemi

FDD6685-G

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 60V SUPERSOT6

ObsoletTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs20mOhm @ 11A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs24 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1715 pF @ 15 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±25V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4.5V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C11A (Ta), 40A (Tc)
Max. Verlustleistung1.6W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-GehäuseTO-252AA

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)