FDD4685TF_SB82135

onsemi

FDD4685TF_SB82135

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 40V 8.4A/32A DPAK

ObsoletTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs27mOhm @ 8.4A, 10V
Basis-TeilenummerFDD468
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2380 pF @ 20 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8.4A (Ta), 32A (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-GehäuseTO-252AA

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)