FDD3580

onsemi

FDD3580

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 80V 7.7A D-PAK

ObsoletTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs29mOhm @ 7.7A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1760 pF @ 40 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung80 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.7A (Ta)
Max. Verlustleistung3.8W (Ta), 42W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-GehäuseTO-252AA

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)