FDD306P

onsemi

FDD306P

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 12V 6.7A TO252

AktivTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs28mOhm @ 6.7A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs21 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1290 pF @ 6 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6.7A (Ta)
Max. Verlustleistung52W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Hersteller-GehäuseTO-252AA

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)