FDC699P

onsemi

FDC699P

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 20V 7A SUPERSOT6

Obsolet6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMPAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs22mOhm @ 7A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs38 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2640 pF @ 10 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7A (Ta)
Max. Verlustleistung2W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP
Hersteller-GehäuseSuperSOT™-6 FLMP

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)