FDC6561AN

onsemi

FDC6561AN

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 30V 2.5A SSOT6

AktivSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs95mOhm @ 2.5A, 10V
Basis-TeilenummerFDC6561
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.2nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds220pF @ 15V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.5A
Power - Max700mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Hersteller-GehäuseSuperSOT™-6

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)