FDC6432SH

onsemi

FDC6432SH

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N/P-CH 30V/12V 2.4A SSOT6

ObsoletSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs90mOhm @ 2.4A, 10V
Basis-TeilenummerFDC6432
KonfigurationN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs3.5nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds270pF @ 15V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SeriePowerTrench®, SyncFET™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V, 12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.4A, 2.5A
Power - Max700mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Hersteller-GehäuseSuperSOT™-6

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)