FDC6321C

onsemi

FDC6321C

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N/P-CH 25V 0.68A SSOT6

AktivSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs450mOhm @ 500mA, 4.5V
Basis-TeilenummerFDC6321
KonfigurationN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs2.3nC @ 5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds50pF @ 10V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C680mA, 460mA
Power - Max700mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Hersteller-GehäuseSuperSOT™-6

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)