FDC6320C

onsemi

FDC6320C

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N/P-CH 25V 0.22A SSOT6

ObsoletSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs4Ohm @ 400mA, 4.5V
Basis-TeilenummerFDC6320
KonfigurationN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs0.4nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds9.5pF @ 10V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung25V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C220mA, 120mA
Power - Max700mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Hersteller-GehäuseSuperSOT™-6

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)