FDC6310P

onsemi

FDC6310P

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2P-CH 20V 2.2A SSOT6

AktivSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs125mOhm @ 2.2A, 4.5V
Basis-TeilenummerFDC6310
Konfiguration2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs5.2nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds337pF @ 10V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C2.2A
Power - Max700mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Hersteller-GehäuseSuperSOT™-6

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)