FDC602P

onsemi

FDC602P

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 20V 5.5A SUPERSOT6

AktivSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs35mOhm @ 5.5A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1456 pF @ 10 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±12V
Vgs(th) (Max) @ Id1.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.5A (Ta)
Max. Verlustleistung1.6W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Hersteller-GehäuseSuperSOT™-6

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)