FDC3616N

onsemi

FDC3616N

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 3.7A SUPERSOT6

Obsolet6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMPAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs70mOhm @ 3.7A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1215 pF @ 50 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C3.7A (Ta)
Max. Verlustleistung2W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-SSOT Flat-lead, SuperSOT™-6 FLMP
Hersteller-GehäuseSuperSOT™-6 FLMP

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)