FDBL0630N150

onsemi

FDBL0630N150

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 150V 169A 8HPSOF

Aktiv8-PowerSFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs6.3mOhm @ 80A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs90 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds5805 pF @ 75 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C169A (Tc)
Max. Verlustleistung500W (Tj)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-PowerSFN
Hersteller-Gehäuse8-HPSOF

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)