FDB86563-F085

onsemi

FDB86563-F085

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 60V 110A D2PAK

AktivTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263ABAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.8mOhm @ 80A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds10100 pF @ 30 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung60 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C110A (Tc)
Max. Verlustleistung333W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)

Umwelt

GradeAutomotive
Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)
QualificationAEC-Q101