FDB8444TS

onsemi

FDB8444TS

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 40V 20A/70A TO263-5

ObsoletTO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs5mOhm @ 70A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs338 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds8410 pF @ 25 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20A (Ta), 70A (Tc)
Max. Verlustleistung181W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-6, D²Pak (5 Leads + Tab), TO-263BA
Hersteller-GehäuseTO-263-5

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)