FDB3652

onsemi

FDB3652

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 9A/61A D2PAK

AbgekündigtTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs16mOhm @ 61A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs53 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2880 pF @ 25 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A (Ta), 61A (Tc)
Max. Verlustleistung150W (Tc)

Mechanisch

GehäuseCut Tape (CT)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hersteller-GehäuseD²PAK (TO-263)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~175°C(TJ)