FDB2552

onsemi

FDB2552

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 150V 5A/37A TO263AB

AktivTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263ABAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs36mOhm @ 16A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2800 pF @ 25 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung150 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5A (Ta), 37A (Tc)
Max. Verlustleistung150W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hersteller-GehäuseTO-263 (D2PAK)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)