FDB1D7N10CL7

onsemi

FDB1D7N10CL7

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 100V 268A D2PAK

AktivTO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs1.65mOhm @ 100A, 15V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs163 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds11600 pF @ 50 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4V @ 700µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung100 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)6V, 15V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C268A (Tc)
Max. Verlustleistung250W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseTO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Hersteller-GehäuseTO-263 (D2PAK)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)