FDB14N30TM

onsemi

FDB14N30TM

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 300V 14A D2PAK

AbgekündigtTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263ABAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs290mOhm @ 7A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs25 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1060 pF @ 25 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusLast Time Buy
SerieUniFET™
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung300 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C14A (Tc)
Max. Verlustleistung140W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Hersteller-GehäuseD²PAK (TO-263)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)