FDB024N04AL7

onsemi

FDB024N04AL7

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 40V 100A TO263-7

ObsoletTO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs2.4mOhm @ 80A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs109 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7300 pF @ 25 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
SeriePowerTrench®
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung40 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100A (Tc)
Max. Verlustleistung214W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Hersteller-GehäuseTO-263-7

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 175°C (TJ)