FCPF600N60Z

onsemi

FCPF600N60Z

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 600V 7.4A TO220F

AbgekündigtTO-220-3 Full PackAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs600mOhm @ 3.7A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs26 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1120 pF @ 25 V
Herstelleronsemi
MontageartThrough Hole
Product StatusLast Time Buy
SerieSuperFET® II
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7.4A (Tc)
Max. Verlustleistung89W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
Hersteller-GehäuseTO-220F-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)