FCPF220N80

onsemi

FCPF220N80

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 800V 23A TO220F

AktivTO-220-3 Full PackAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs220mOhm @ 11.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs105 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds4560 pF @ 100 V
Herstelleronsemi
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
SerieSuperFET® II
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 2.3mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung800 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C23A (Tc)
Max. Verlustleistung44W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
Hersteller-GehäuseTO-220F-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)