FCPF190N65S3R0L

onsemi

FCPF190N65S3R0L

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 650V 17A TO220F-3

ObsoletTO-220-3 Full PackAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs190mOhm @ 8.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1350 pF @ 400 V
Herstelleronsemi
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
SerieSuperFET® III
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 1.7mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C17A (Tc)
Max. Verlustleistung144W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
Hersteller-GehäuseTO-220F-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)