FCPF190N65FL1-F154

onsemi

FCPF190N65FL1-F154

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 650V 20.6A TO220F-3

AktivTO-220-3 Full PackAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs190mOhm @ 10A, 10V
Basis-TeilenummerFCPF190
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs78 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3055 pF @ 100 V
Herstelleronsemi
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
SerieFRFET®, SuperFET® II
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 2mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung650 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20.6A (Tc)
Max. Verlustleistung39W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
Hersteller-GehäuseTO-220F-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)