FCPF190N60E-F152

onsemi

FCPF190N60E-F152

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 600V TO-220-3

ObsoletTO-220-3 Full PackAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs190mOhm @ 10A, 10V
Basis-TeilenummerFCPF190
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3175 pF @ 25 V
Herstelleronsemi
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
SerieSuperFET® II
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung600 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C20.6A (Tc)
Max. Verlustleistung39W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-220-3 Full Pack
Hersteller-GehäuseTO-220F-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)