FCMT360N65S3

onsemi

FCMT360N65S3

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 650V 10A 4PQFN

Abgekündigt4-PowerTSFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs360mOhm @ 5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs18 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds730 pF @ 400 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusNot For New Designs
SerieSuperFET® III
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 200µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Tc)
Max. Verlustleistung83W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case4-PowerTSFN
Hersteller-Gehäuse4-PQFN (8x8)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)