FCMT299N60

onsemi

FCMT299N60

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 600V 12A POWER88

Aktiv4-PowerTSFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs299mOhm @ 6A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1948 pF @ 380 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
SerieSuperFET® II
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C12A (Ta)
Max. Verlustleistung125W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case4-PowerTSFN
Hersteller-GehäusePower88

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)