FCMT080N65S3

onsemi

FCMT080N65S3

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 650V 38A 4TDFN

Abgekündigt4-PowerTSFNAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs80mOhm @ 19A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs71 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2765 pF @ 400 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
VerpackungTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
TeilestatusNot For New Designs
SerieSuperFET® III
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V
Vgs(th) (Max) @ Id4.5V @ 880µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C38A (Tc)
Max. Verlustleistung260W (Tc)

Mechanisch

Package / Case4-PowerTSFN
Hersteller-Gehäuse4-TDFN (8x8)

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)