FCH099N60E

onsemi

FCH099N60E

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 600V 37A TO247-3

ObsoletTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs99mOhm @ 18.5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs114 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds3465 pF @ 380 V
Herstelleronsemi
MontageartThrough Hole
VerpackungTube
TeilestatusObsolet
SerieSuperFET® II
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id3.5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung600 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C37A (Tc)
Max. Verlustleistung357W (Tc)

Mechanisch

Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäuseTO-247-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)