FCH077N65F-F155

onsemi

FCH077N65F-F155

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 650V 54A TO247

AbgekündigtTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs77mOhm @ 27A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7109 pF @ 100 V
Herstelleronsemi
MontageartThrough Hole
Product StatusNot For New Designs
SerieFRFET®, SuperFET® II
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 5.4mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C54A (Tc)
Max. Verlustleistung481W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäuseTO-247-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C ~ 150°C (TJ)