FCH077N65F-F085

onsemi

FCH077N65F-F085

Analog & Leistungselektronik

POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, N

AktivTO-247-3Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs77mOhm @ 27A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs164 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7162 pF @ 25 V
Herstelleronsemi
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
SerieAutomotive, AEC-Q101, SuperFET® II
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 250µA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C54A (Tc)
Max. Verlustleistung481W (Tc)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseTO-247-3
Hersteller-GehäuseTO-247-3

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)