FCH041N65EFL4

onsemi

FCH041N65EFL4

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 650V 76A TO247

AktivTO-247-4Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs41mOhm @ 38A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs298 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds12560 pF @ 100 V
Herstelleronsemi
MontageartThrough Hole
Product StatusActive
SerieFRFET®, SuperFET® II
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V
Vgs(th) (Max) @ Id5V @ 7.6mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung650 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C76A (Tc)
Max. Verlustleistung595W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTube
Package / CaseTO-247-4
Hersteller-GehäuseTO-247

Umwelt

Betriebstemperatur-55°C~150°C(TJ)