EFC6612R-A-TF

onsemi

EFC6612R-A-TF

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 6CSP

Obsolet6-SMD, No LeadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerEFC6612
Konfiguration2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET FeatureLogic Level Gate, 2.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs27nC @ 4.5V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)

Elektrisch

Power - Max2.5W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case6-SMD, No Lead
Hersteller-Gehäuse6-CSP (1.77x3.54)