EFC6601R-TR

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH EFCP2718

Aktiv6-XFBGA, FCBGAAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-Teilenummer	EFC6601
Konfiguration	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate, 2.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	48nC @ 4.5V
Hersteller	onsemi
Montageart	Surface Mount
Product Status	Active
Technologie	MOSFET (Metal Oxide)

Elektrisch

Power - Max	2W

Mechanisch

Gehäuse	Tape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case	6-XFBGA, FCBGA
Hersteller-Gehäuse	EFCP2718-6CE-020

Umwelt

Betriebstemperatur	150°C (TJ)