EFC3J018NUZTDG

onsemi

EFC3J018NUZTDG

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 20V 23A 6WLCSP

Aktiv6-XFBGA, WLCSPAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs4.7mOhm @ 5A, 4.5V
Basis-TeilenummerEFC3J018
Konfiguration2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET FeatureLogic Level Gate, 2.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs75nC @ 4.5V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.3V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C23A (Ta)
Power - Max2.5W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case6-XFBGA, WLCSP
Hersteller-Gehäuse6-WLCSP (1.77x3.05)

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)