ECH8697R-TL-W

onsemi

ECH8697R-TL-W

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 24V 10A SOT28

Aktiv8-SMD, Flat LeadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs11.6mOhm @ 5A, 4.5V
Basis-TeilenummerECH8697
Konfiguration2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET FeatureLogic Level Gate, 2.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs6nC @ 4.5V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)

Elektrisch

Drain-Source-Spannung24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A
Power - Max1.5W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SMD, Flat Lead
Hersteller-GehäuseSOT-28FL/ECH8

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)