ECH8661-TL-H

onsemi

ECH8661-TL-H

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N/P-CH 30V 7A/5.5A 8ECH

Aktiv8-SMD, Flat LeadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs24mOhm @ 3.5A, 10V
Basis-TeilenummerECH8661
KonfigurationN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11.8nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds710pF @ 10V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C7A, 5.5A
Power - Max1.5W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SMD, Flat Lead
Hersteller-Gehäuse8-ECH

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)