ECH8657-TL-H

onsemi

ECH8657-TL-H

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 35V 4.5A 8ECH

Aktiv8-SMD, Flat LeadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs59mOhm @ 2A, 10V
Basis-TeilenummerECH8657
Konfiguration2 N-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs4.5nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds230pF @ 20V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)

Elektrisch

Drain-Source-Spannung35V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C4.5A
Power - Max1.5W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SMD, Flat Lead
Hersteller-Gehäuse8-ECH

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)