ECH8652-TL-H

onsemi

ECH8652-TL-H

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2P-CH 12V 6A 8ECH

Obsolet8-SMD, Flat LeadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs28mOhm @ 3A, 4.5V
Basis-TeilenummerECH8652
Konfiguration2 P-Channel (Dual)
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs11nC @ 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1000pF @ 6V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)

Elektrisch

Drain-Source-Spannung12V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A
Power - Max1.5W

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-SMD, Flat Lead
Hersteller-Gehäuse8-ECH

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)