ECH8601M-TL-H

onsemi

ECH8601M-TL-H

Analog & Leistungselektronik

MOSFET 2N-CH 24V 8A 8ECH

Obsolet8-SMD, Flat LeadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs23mOhm @ 4A, 4.5V
Basis-TeilenummerECH8601
Konfiguration2 N-Channel (Dual) Common Drain
FET FeatureLogic Level Gate, 2.5V Drive
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs7.5nC @ 4.5V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs(th) (Max) @ Id1.3V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung24V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C8A (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-SMD, Flat Lead
Hersteller-Gehäuse8-ECH

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)