ECH8402-TL-E

onsemi

ECH8402-TL-E

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 10A 8ECH

Obsolet8-SMD, Flat LeadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs15mOhm @ 5A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1400 pF @ 10 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Ta)
Max. Verlustleistung1.6W (Ta)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / Case8-SMD, Flat Lead
Hersteller-Gehäuse8-ECH

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)