ECH8310-TL-H

onsemi

ECH8310-TL-H

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 30V 9A 8ECH

Aktiv8-SMD, Flat LeadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs17mOhm @ 4.5A, 10V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1400 pF @ 10 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±20V

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)4V, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C9A (Ta)
Max. Verlustleistung1.5W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / Case8-SMD, Flat Lead
Hersteller-Gehäuse8-ECH

Umwelt

Betriebstemperatur150°C(TJ)