ECH8308-TL-H

onsemi

ECH8308-TL-H

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 12V 10A 8ECH

Aktiv8-SMD, Flat LeadAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs12.5mOhm @ 5A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs26 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds2300 pF @ 6 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V

Elektrisch

Drain-Source-Spannung12 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)1.8V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C10A (Ta)
Max. Verlustleistung1.6W (Ta)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / Case8-SMD, Flat Lead
Hersteller-Gehäuse8-ECH

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)