DLN10C-BT

onsemi

DLN10C-BT

Analog & Leistungselektronik

DIODE GEN PURP 200V 1A AXIAL

ObsoletR-1, AxialAnalog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Basis-TeilenummerDLN10
Herstelleronsemi
MontageartThrough Hole
Product StatusObsolete
Reverse Recovery Time (trr)35 ns
TechnologieStandard

Elektrisch

Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If980 mV @ 1 A
Current - Average Rectified (Io)1A
Current - Reverse Leakage @ Vr10 µA @ 200 V
GeschwindigkeitFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseR-1, Axial

Umwelt

Operating Temperature - Junction150°C (Max)