CPH6635-TL-H

onsemi

CPH6635-TL-H

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N/P-CH 30V/20V 0.4A 6CPH

ObsoletSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.7Ohm @ 80mA, 4V
Basis-TeilenummerCPH663
KonfigurationN and P-Channel
FET FeatureLogic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs1.58nC @ 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds7pF @ 10V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30V, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C400mA, 1.5A
Power - Max800mW

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR) Cut Tape (CT)
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Hersteller-Gehäuse6-CPH

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)