CPH6318-TL-E

onsemi

CPH6318-TL-E

Analog & Leistungselektronik

MOSFET P-CH 12V 6A 6CPH

AktivSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs34mOhm @ 3A, 4.5V
FET TypeP-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs22 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds1900 pF @ 6 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusActive
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±8V
Vgs(th) (Max) @ Id1V @ 1mA

Elektrisch

Drain-Source-Spannung12 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C6A (Ta)
Max. Verlustleistung1.6W (Ta)

Mechanisch

GehäuseBulk
Package / CaseSOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
Hersteller-Gehäuse6-CPH

Umwelt

Betriebstemperatur150°C