ATP613-TL-H

onsemi

ATP613-TL-H

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 500V 5.5A ATPAK

ObsoletATPAK (2 Leads+Tab)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs2Ohm @ 2.75A, 10V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs13.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds350 pF @ 30 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±30V

Elektrisch

Drain-Source-Spannung500 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C5.5A (Ta)
Max. Verlustleistung70W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseATPAK (2 Leads+Tab)
Hersteller-GehäuseATPAK

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)