ATP218-TL-H

onsemi

ATP218-TL-H

Datenblatt

Analog & Leistungselektronik

MOSFET N-CH 30V 100A ATPAK

ObsoletATPAK (2 Leads+Tab)Analog & Leistungselektronik

Technische Spezifikationen

Strukturierte elektrische, mechanische und umweltbezogene Parameter aus importierten Produktattributen.

Allgemein

Rds On (Max) @ Id, Vgs3.8mOhm @ 50A, 4.5V
FET TypeN-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs70 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds6600 pF @ 10 V
Herstelleronsemi
MontageartSurface Mount
Product StatusObsolete
TechnologieMOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)±10V

Elektrisch

Drain-Source-Spannung30 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)2.5V, 4.5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C100A (Ta)
Max. Verlustleistung60W (Tc)

Mechanisch

GehäuseTape & Reel (TR)
Package / CaseATPAK (2 Leads+Tab)
Hersteller-GehäuseATPAK

Umwelt

Betriebstemperatur150°C (TJ)